شرکت های سامسونگ الکترونیکس و آرم به صورت مشترک در حال توسعه هسته های CPU مخصوص تراشه های 2 نانومتری هستند.
شرکت Arm و سامسونگ در یک همکاری مشترک قصد دارند تا نسخه های سفارشی هسته های پردازنده مرکزی Cortex-X و Cortex-A را در تراشه های 2 نانومتری آینده توسعه دهند. طبق این پروژه، تراشه های نسل بعدی به ترانزیستورهای Gate-All-Around (GAA) مجهز خواهند بود. اما، سئوال اینجاست: ترانزیستورهای GAA چه تفاوتی با ترانزیستورهای FinFET تراشه های فعلی دارد؟ تفاوت اصلی این دو فناوری به چند ویژگی مهم بر می گردد که عبارتند از:
- ساختار فیزیکی:
• :FinFET در این ترانزیستورها، کانال کنترلی به صورت ورقه های نازک نازک طراحی شده است که بر روی سطح سیلیسیم به صورت عمودی قرار دارد.
• :GAA در ترانزیستورهای GAA، کانال کنترلی توسط الکترودهایی اطراف آن (gate-all-around) تحت کنترل قرار می گیرد که معمولا به صورت دایرهای یا بیضی شکل هستند.
- کنترل جریان الکتریکی:
• FinFET : کنترل جریان الکتریکی FinFET توسط سه ناحیهی پایانی کانال (سه ناحیه انتهایی) صورت می گیرد.
• :GAA ترانزیستورهای GAA، کنترل جریان الکتریکی توسط الکترودهایی اطراف کانال صورت میگیرد، که این الکترودها به طور کامل کانال را در محدودهی اطراف خود احاطه میکنند.
- نشتی برق:
• FinFET : ترانزیستورهای FinFET نشتی برق کمتری نسبت به ترانزیستورهای قدیمیتر دارند.
• :GAA ساختار Gate-All-Aroundبه گونه ای است که آنها می توانند به کمک آن نشت برق را تا حد زیادی کاهش دهند.
برخلاف ترانزیستورهای FinFET که در حال حاضر مورد استفاده قرار میگیرند، GAA از نانوصفحات افقی استفاده میکند که به صورت عمودی کنار هم قرار میگیرند تا بتوانند کانالها را از هر چهار طرف بپوشانند. این کار نشت جریان را کاهش می دهد، جریان درایو را بهبود می بخشد و در نهایت منجر به کاهش مصرف انرژی در تراشه می شود.
کریس برگی، معاون ارشد و مدیر کل شرکت Arm گفت: "همکاری طولانی مدت ما با سامسونگ در این پروژه مشترک منجر به نوآوری در صنعت ساخت تراشه تا چند نسل آینده می شود. بهینهسازی پردازندههای Cortex-X و Cortex-A با جدیدترین گره فرآیند سامسونگ یکی از همین کارهاست. ما در حقیقت قصد داریم شکل جدیدی از محاسبات سیار را ارائه دهیم که بتواند پاسخگوی عملکرد و میزان بهره وری مورد نیاز در عصر هوش مصنوعی باشد."
هسته های Cortex-X تنها برای یک هدف ساخته شده اند: عملکرد! اما هسته های Cortex-A عملکرد بیشتر را از طریق کاهش مصرف انرژی انجام می دهد. نسخههای جدیدتر هستههای Arm's Cortex-X و Cortex-A برای گره پردازشی 2 نانومتری کارخانه تراشه سازی Samsung Foundry می تواند در ساخت اولین تراشه های 2 نانومتری سامسونگ تحت عنوان" SF2P" مورد استفاده قرار بگیرد.
به نظر می رسد کارخانه تراشه سازی سامسونگ هفته گذشته اولین قرارداد تولید انبوه تراشه های هوش مصنوعی پیشرفته خود را با شبکه های ترجیحی ژاپن (PFN) امضا کرد. در بیانیه رسمی سامسونگ آمده است:" تراشه های هوش مصنوعی پیشرفته جدید می توانند مشکلات موجود در دنیای واقعی را که حل آنها با فناوری های فعلی امکانپذیر نیست، به راحتی حل کند."