سامسونگ دومین شرکت مستقل بزرگ دنیا در زمینه تولید تراشه و قطعات نیمه‌رسانا پس از شرکت TSMC می باشد، و بر اساس گزارشات ، تغییراتی در نقشه راه تولید تراشه‌ها با لیتوگرافی سه‌نانومتری ایجاد کرده است.
اولین تراشه های سامسونگ که با استفاده از فرایند 3 نانومتری ، 3GAE (3 نانومتری دروازه همه کاره در اوایل سال) تولید می شوند ، طبق گزارشات با تأخیری یک‌ساله در تولید تراشه‌ها با فناوری 3GAE اعمال میشود.
البته سامسونگ از این فناوری فقط برای تولید تراشه‌هایش، یعنی سری اگزینوس، استفاده خواهد کرد و سفارش شرکت‌های دیگر را نخواهد پذیرفت.
یک نماینده سامسونگ در مورد فناوری 3GAE گفت: این شرکت در حال مذاکره با مشتریانش است تا تولید انبوه تراشه‌ها با استفاده از فناوری 3GAE از سال ۲۰۲۲ شروع شود. درحالی‌که فناوری 3GAE از نقشه راه سامسونگ حذف شده است، مدل نسل بعدی آن، یعنی 3GAP، همچنان در نقشه راه شرکت کره‌ای حضور دارد و زمان استفاده از آن نیز برای سال ۲۰۲۳ در نظر گرفته شده است.
همان‌طورکه اشاره شد، سامسونگ نقشه راه خود برای تولید تراشه‌های سه‌نانومتری و مدل‌های دیگر را در اوایل سال ۲۰۲۱ ارائه کرد. پس از معرفی نقشه راه سامسونگ نیز نمونه‌ای از آن در شبکه‌های اجتماعی ویبو قرار گرفت تا برنامه‌های شرکت کره‌ای با بازتاب گسترده‌ای در فضای مجازی همراه شوند.
در همان زمان ، در سال 2019 ، تولید حجم با استفاده از 3GAA (معماری ترانزیستور Gate-All-Around) اعلام شد که در اواخر سال 2021 آغاز خواهد شد. با تاریخ شروع جدید 2022 برای فرآیند اولیه 3 نانومتری Gate-All-Around ، می توان نتیجه گیری کنید که تاخیر اندکی در سامسونگ یا محاسبات غلط رخ داده است. در هر صورت ، این یک معضل بزرگ محسوب نمی شود زیرا گره های اولیه Sammy توسط تولید کنندگان تا حد زیادی استفاده نمی شود.
نقشه راه سامسونگ فقط به تراشه‌هایی با فناوری‌های مدرن 3GAE و 3GAP اشاره نمیشود؛ و درباره آینده تراشه‌های مبتنی‌بر معماری قدیمی‌تر فین‌فت نیز توضیحاتی را ا می‌دهد. این غول فناوری کره‌ای می‌خواهد تراشه‌های مبتنی‌بر معماری فین‌فت را در سال ۲۰۲۱ همراه با فناوری 4LPP و در سال ۲۰۲۲ با فناوری 5LPP بسازد. گفتنی است همراه با تراشه‌های مجهز به فناوری 5LPP نیز در سال ۲۰۲۲ تراشه‌های سه‌نانومتری با فناوری 3GAE معرفی می‌شوند تا به‌مرور‌زمان معماری فین‌فت کنار گذاشته شود.
با‌این‌حال، گزارش‌های منتشرشده نشان می‌دهد سامسونگ در تولید تراشه به مشکلاتی برخورد کرده که مجبور شده است در زمان نقشه راهش تغییراتی را ایجاد کند. در توضیحی کوتاه درباره اصطلاحات به‌کار‌گرفته‌شده باید گفت معماری فین‌فت در سال‌های گذشته پاسخ‌گوی نیازهای سازندگان تراشه بوده است؛ اما با کوچک‌ترشدن گره‌ها و نیاز به تولید تراشه با لیتوگرافی چهار یا کوچک‌تر معماری فین‌فت نتوانست عملکرد دلخواه سازندگان را ارائه دهد.
همین سامسونگ می‌خواهد با استفاده از معماری MBCFET تراشه‌هایی با لیتوگرافی سه‌نانومتری بسازد و به‌نظر می‌رسد با اینکه امکان تأخیر در این روند وجود دارد، شرکت کره‌ای به نتیجه دلخواهش خواهد رسید.
هرچند. حذف تراشه آخرین کار در چرخه طراحی آن است که منجر به یکی از دو نتیجه می شود: طراحی تراشه کار می کند یا نمی کند. در مورد مورد دوم ، ممکن است یک اصلاح جزئی مورد نیاز باشد یا یک بازنگری کامل در طرح درخواست شود.
نظر شما چیست؟دیدگاه خود را با های فن تک به اشتراک بگذارید.